Вестник Витебского
государственного
технологического
университета

Аннотация

В данной работе получено теоретическое описание экспериментальной зависимости времени жизни возбужденного мультиплета ⁴F_3/2 иона Nd³⁺ в кристалле LiYF₄, предложен метод определения вероятностей переходов с отдельных штарковских компонент возбужденного уровня. Разработано приложение на C# с удобным интерфейсом для компьютерного моделирования температурной зависимости времени жизни возбужденного уровня ⁴F_3/2 иона Nd³⁺ в кристалле LiYF_⁴. На главной форме необходимо ввести энергии штарковских компонент возбужденного мультиплета и всех нижележащих, коэффициенты ветвления люминесценции, экспериментальные данные по температурной зависимости. При использовании всего лишь двух варьируемых параметров получено хорошее согласие между вычисленным и измеренным графиком времени жизни в диапазоне температур от 10К до 300К. Применение разработанного приложения позволило по температурной зависимости впервые определить вероятности излучательных переходов с каждой штарковской компоненты мультиплета ⁴F_3/2: с нижележащей компоненты (энергия 11393 см-1) вероятность равна 1755с-1, с вышележащей (энергия 11472 см-1) вероятность – 2457 с-1. Предложенный алгоритм вычисления вероятности излучательного перехода с каждой штарковской компоненты возбужденного мультиплета на основе результатов компьютерного моделирования температурной зависимости времени жизни, существенно увеличивает информативность экспериментов по измерению температурной зависимости времени жизни.

Приложение на С# для определения вероятностей излучательных переходов с отдельных компонент возбужденного уровня ⁴F_3/2 иона Nd ³⁺ по температурной зависимости времени жизни