vest2-logo.png

Вестник Витебского
государственного
технологического
университета

ru gb

ISSN: 2306-1774 (Online)

ISSN: 2079-7958 (Print)

раб. тел.  +375 212 495338

 
 

 

Поиск по сайту

vakRB_sm.png

logo-eLibrary.jpg

OAJI Vestnik of VSTU

plus2.png

 

Google_Scholar.png

kiberleninka_sm.png

index_copernicus.jpg

Flag Counter

Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси


УДК 538.2; 548.4

Авторы


 

Реферат


Объектами исследования являются монокристаллы триглицинсульфата с послойно-периодическим изменением состава.

Цель работы: исследование доменной структуры закономерно-неоднородных сегнетоэлектрических кристаллов, состоящих из регулярно чередующихся номинально чистых слоев и слоев, содержащих легирующие примеси.

Методы исследования: доменная структура исследовалась методами нематических жидких кристаллов и силовой атомной микроскопии в режиме пьезоэлектрического отклика.

В результате выполнения работы выращены монокристаллы триглицинсульфата с заданным послойно-периодическим изменением состава с различным периодом роста, проведено исследование доменной структуры кристаллов в зависимости от пирамиды роста и от периода роста. Показано, что образование примесных полос в кристалле происходит по-разному в зависимости от пирамиды роста. Установлено, что регулярное введение примеси приводит к образованию полос со специфической мелкодисперсной доменной структурой. Плотность доменных границ в слоях с неизоморфной примесью приблизительно в 2 раза выше, чем в слоях без примеси.

Полученные результаты могут быть использованы для получения активных элементов ИК-детекторов и пировидиконов на основе кристаллов триглицинсульфата.

Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси

Ключевые слова


Выходные данные


Шут, В.Н. Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси/ В.Н. Шут, С.Е. Мозжаров, И.Ф. Кашевич, Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Н.В. Белугина  // Вестник Витебского государственного технологического университета . ─ 2015. ─ № 28. ─ С. 148.